Kristalo topologijos sudarymas ir pagrindinimas
Svarbiausias puslaidininkinių IS konstravimo etapas yra elektrinės schemos transformavimas į topologinę schemą. Sudarant IS topologiją, laikomasi pagrindinės taisyklės: IS užimamas plotas kristale ir jungiamųjų takelių persikirtimo skaičius turi būti minimalus.
Topologijos sudarymą galima išskirstyti į sekančius etapus:
1) Pradinių duomenų gavimas. Tai gali būti elektriniai parametrai (maitinimo įtampa, tekančios srovės, darbo temperatūros diapazonas, aktyvinių ir pasyvinių elementų parametrai) ir konstruktyviniai, bei technologiniai (minimalus geometriniai matmenys, technologinių režimų parametrai ir jų nuokrypos, kontaktinių aikštelių išdėstymas, korpuso tipas);
2) Aktyvinių ir pasyvinių elementų geometrinių matmenų skaičiavimas. Pagal elektrinius, konstruktyvinius ir technologinius parametrus skaičiuojami schemos elementų matmenys;
3) Topologijos eskizo sudarymas. Pagal elektrinę principinę schemą nustatomas elementų išsidėstymas, izoliuotų sričių skaičius. Reikia įvertinti, kad visi tranzistoriai turintys skirtingą kolektorių potencialus turi būti izoliuoti; visi rezistoriai gali būti išdėstyti vienoje izoliuotoje srityje, turinčioje maksimalų schemos potencialą; rezistoriai, įjungti į tranzistoriaus emiterio grandinę, gali būti formuojami vienoje srityje su aukščiau paminėtais; prie izoliuojančių p – sričių turi būti paduotas minimalus potencialas; kontaktą su izoliuojančia p – sritimi rekomenduojama daryti prie galingiausio tranzistoriaus;
4) Tarpinių topologijos variantų sudarymas. Pagal sudarytą eskizą koordinačių tinklelyje 100:1, 200:1, arba kartotiniu 100, sudaromas tarpinis topologijos variantas. Sudaroma eilė topologijų su skirtingai išdėstytais elementais;
5) Topologijos galutinio varianto pasirinkimas ir optimizavimas. Kristalo topologijos brėžinio kontrolė ir charakteristikų įvertinimas.
Sudarant konstruojamos schemos topologiją bus laikomasi visų pateiktų nurodymų. Topologijos eskizai ir tarpiniai topologijos variantai nebus pateikiami. Kristalo topologijos brėžinys bus pateiktas namų darbo grafinėje dalyje. Topologija sudaryta vieno kanalo schemos fragmentui, kuris parodytas pav.7. Kalbant apie sudarytos topologijos ypatumus, galima pažymėti, kad projektuojamo stiprintuvo stiprinimo koeficientas siekia net 200 000, t.y. gana didelis. Todėl, sudarant topologiją , buvo priimtas sprendimas panaudoti padidinto pločio kristalą tam, kad galima butu atskirti stiprintuvo įėjimo ir išėjimo grandines. Kristale aktyvus elementai yra sugrupuoti į dvi atskiras grupes: viena grupė – tai įėjimo stiprinimo laipsnis, kita – tai išėjimo stiprinimo laipsnis. Tokia topologija leidžia žymiai sumažinti stiprintuvo tarpusavį ryšių. Tam , kad sumažinti aktyvaus signalo triukšmus, įėjimo grandines tranzistorius buvo nuspręsta išsidėstyti kuo arčiau prie įėjimų kontaktinių aikštelių. Toks išsidėstymas kartu leidžia ir padidinti mikroschemos atsparumą įvairioms trukdžiams.