npn tranzistorių geometrijos skaičiavimas

Tipinė n-p-n tranzistoriaus konstrukcija parodyta 4 paveiksle. Bus naudojama tranzistorių Q1,3,4,6,8,9,10,13,15,17,18,28,29,30 gamyboje.
Iš pagrindinių techninių charakteristikų ir bazinio npn tranzistoriaus brėžinio priimsime:

• bazės gylis hB=(0.2…0.5)D=0.8mm;
• emiterio gylis hE =(0.1…0.3)D=0.4mm;
• bazės storis WB= hB – hE=0.4mm;
• maksimalus srovės stiprinimo koeficientas bmax =200.

D -minimalus matmuo D=2mm.

Emiterio plotis paskaičiuojamas iš formulės :

(4.16)

Emiterio ilgis:
(4.17)

čia IE – emiterio srovė, rB – specifinė bazės varža (0.5Wcm), jT – temperatūrinis potencialas (0.026V).

Tranzistoriaus emiterio matmenys bus paskaičiuoti Q6 tranzistoriui.

Emiterio plotis RE = 8 mm
Emiterio ilgis ZE = 9.6mm » 10 mm
Iš tipinės n-p-n tranzistoriaus konstrukcijos gauname:

• bazės plotis RB = 18 mm;
• bazės ilgis ZB = 14 mm;
• kolektoriaus plotis RK=30 mm;
• kolektoriaus ilgis ZK= 18 mm.

Kaip jau buvo minėta ankščiau, tranzistorius Q16 yra galingas, todėl jo matmenys paskaičiuoti atskirai (bmax = 200).

Emiterio plotis RE = 8 mm
Emiterio ilgis ZE = 39 mm

Iš tipinės n-p-n tranzistoriaus konstrukcijos gauname galingo tranzistoriaus matmenis:
bazės plotis RB = 18 mm;
bazės ilgis ZB = 43 mm;
kolektoriaus plotis RK=30 mm;
kolektoriaus ilgis ZK= 47 mm.

4 pav. Tipinė n-p-n tranzistoriaus konstrukcija: pjūvis (a), topologija (b);
1 – emiterio, 2 – bazės, 3 – kolektoriaus sritis.

Susiję įrašai:

• Tuneliniai ir atvirkštiniai diodai
• Impulsiniai diodai
• Varikapai
• Aukštadažniai diodai
• Puslaidininkiniai stabilitronai