pnp tranzistorių geometrijos skaičiavimas
Tipinė p-n-p tranzistoriaus konstrukcija parodyta 5 paveiksle. Todėl, kad IS darbo dažnių diapazonas pakankamai žemas, pasirinksime horizontalų p-n-p tranzistorių, kurio gamybai nereikalingi papildomi technologiniai procesai. Tai bus tranzistoriai Q2,5,7,11,21,25. Tranzistoriaus kolektorius ir emiteris sudaromas n-p-n tranzistoriaus bazės difuzijos metu, o bazės n+ sluoksnis – emiterio difuzijos metu. Tokį patį konstrukciją bus naudojama daugiakolektoriniams tranzistoriams Q19,20,22,23,024, sudarant papildomus išvadas iš kolektoriaus srities.
Pradiniai duomenis mažo galingumo tranzistoriaus skaičiavimams: bmax = 40 Bazės storis WB = 5 mm.
Baziniai p-n-p tranzistorių matmenys: emiterio plotis RE = 45 mm; emiterio ilgis ZE = 22 mm.
bazės plotis RB=55mm; bazės ilgis ZB=32mm; kolektoriaus plotis RK= 83 mm; kolektoriaus ilgis ZK=44mm.
5 pav. Tipinė p-n-p tranzistoriaus konstrukcija: pjūvis (a), topologija (b).
Kaip jau buvo minėta ankščiau, tranzistorius Q12 yra galingas, todėl jo matmenys paskaičiuoti atskirai (bmax = 40): Baziniai galingo p-n-p tranzistorių matmenys: emiterio plotis RE = 45 mm; emiterio ilgis ZE = 86 mm.
bazės plotis RB=55mm;
bazės ilgis ZB=96mm;
kolektoriaus plotis RK=83mm;
kolektoriaus ilgis ZK=108mm.