Rezistorių, pagamintu joninės implantacijos metodu, konstrukcijos skaičiavimas
Jonines implantacijos metodu pagamintas integralinis rezistorius pagal savo konstrukciją praktiškai neturi jokių esminių konstrukcijos skirtumų nuo įprasto difuzinio rezistoriaus (pav.4). Skiriasi tik dirbančio rezistoriaus sluoksnio storis: jei bazinės srities difuzinio rezistoriaus storis ~ 2…3,5 mm, tai jonines implantacijos rezistoriaus darbinio sluoksnio storis – tik 0,1…0,2 mm, o vieno kvadrato varža siekia 500…20 000 W. Skaičiuojant tokius rezistorius ,galima panaudoti formules (4.8-4.15), bet neįvertinant šoninės difuzijos. Vieno kvadrato paviršinė sluoksnio varža galima priimti ~ 10 kW/ÿ. 
3 pav. Joninės implantacijos metodu pagaminto integrinio rezistoriaus konstrukcija: topologija – (a), pjūviai – (b) ir (c);
1 – metalizacijos takeliai į rezistoriaus išvadų kontaktų langus; 2 – atgalynės įtampos takelis; 3 – implantuotas rezistoriaus sluoksnis ilgio l ir pločio b; 4 – skiriamosios difuzijos langas; 5 – skiriamoji difuzija.
Rezistorių skaičiavimo rezultatus yra pateikti lentelėje 3:
Lentelė 3. Implantuotų rezistorių ilgio ir pločio skaičiavimo rezultatai.
| Nr. | R, W | P, W | bef.p , mm | bef.0 , mm | bef. , mm | K1 | K2 | lskaič , mm | bf.š , mm |
| 1 | 60000 | 0,018 | 27,4 | 3 | 27,4 | 0,1 | 0,1 | 158,8 | 27,4 |
| 2 | 37000 | 0,0089 | 24,4 | 3 | 24,4 | 0,1 | 0,1 | 85,8 | 24,4 |
| 4 | 40000 | 0.008 | 22,4 | 3 | 22,4 | 0,1 | 0,1 | 85,0 | 22,4 |
| 6 | 31000 | 0,0062 | 22,4 | 3 | 22,4 | 0,1 | 0,1 | 64,8 | 22,4 |